霍爾傳感器是利用半導(dǎo)體材料，它是根據(jù)霍爾效應(yīng)制作的一種傳感器，這個(gè)霍爾其實(shí)是一個(gè)人名，他是一位美國的物理學(xué)家，他早在一百多年前的1879年就通過很多次實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)了在一個(gè)金屬薄片上通過一個(gè)恒定的電流，然后把這個(gè)薄片再放到磁場中，這時(shí)候他發(fā)現(xiàn)在金屬的另外兩側(cè)就會出現(xiàn)電壓，這個(gè)電壓是與磁場有關(guān)系的，當(dāng)磁場強(qiáng)時(shí)，這個(gè)電壓就高，當(dāng)磁場弱時(shí)，這個(gè)電壓就低，當(dāng)時(shí)由于技術(shù)的限制，還沒有發(fā)現(xiàn)類似硅半導(dǎo)體這種材料，因此使用金屬來獲得的電壓都比較小，直到上個(gè)世紀(jì)40年代末，硅半導(dǎo)體的出現(xiàn)，霍爾效應(yīng)才逐漸進(jìn)入到實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域。
霍爾電流傳感器后來人們?yōu)榱思o(jì)念霍爾在這方面做出的貢獻(xiàn)，因此用他的名字來命名這種傳感器，現(xiàn)在人們大都采用半導(dǎo)體作為霍爾傳感器的材料，當(dāng)我們給它通入電流時(shí)，在與電流和磁場都垂直的方向上就會產(chǎn)生電壓，我們把這種現(xiàn)象叫霍爾效應(yīng)，我們把這種利用霍爾效應(yīng)制作的傳感器稱為霍爾傳感器。
我們以半導(dǎo)體霍爾元件為例來說明它的工作過程，我們給半導(dǎo)體霍爾元件通入電流I，然后把這個(gè)半導(dǎo)體薄片放在以磁場強(qiáng)度為B的磁場中，這時(shí)半導(dǎo)體內(nèi)的電子將受到一種磁力F的作用就會向內(nèi)側(cè)移動，因此在內(nèi)側(cè)就堆積了很多電子，隨著電子堆積的越來越多，此時(shí)就會形成一種電場，當(dāng)電子既受到磁霍爾電流傳感器場力的作用，又受到電場力的作用，如果此時(shí)兩種力達(dá)到了一種平衡時(shí)，那么電子的堆積也就達(dá)到了一種動態(tài)平衡，這時(shí)候就建立起一種電壓，我們把這種電壓叫霍爾電動勢，一般用Eh表示，那么霍爾電動勢Eh可用Eh=KIB來表示，從這個(gè)式子可以看到，這個(gè)K是霍爾元件的靈敏度，這個(gè)I和B分別表示通入的電流和所在的磁場強(qiáng)度，因此我們知道，在通入電流一定的情況下，磁場強(qiáng)度越強(qiáng)，那么所感應(yīng)的霍爾電動勢就越大。
在多種非接觸測量電流的方法中，基于霍爾原理測量電流是一種最常用的方法，其原理是在聚磁環(huán)的氣隙中插入一個(gè)檢磁元件（霍爾元件），有外霍爾電流傳感器界磁場時(shí)，通過聚磁環(huán)，霍爾元件可感測到磁場，并產(chǎn)生電壓，該電壓稱為霍爾電壓，可用于直接輸出或者反饋控制，由此結(jié)構(gòu)可知，被測電流的電纜，靠近霍爾元件或原理霍爾元件的時(shí)候，會產(chǎn)生比較明顯的磁場變化，從而導(dǎo)致位置誤差的產(chǎn)生。
為了減小這種誤差，通�？梢圆捎枚嗷魻柖鄽庀ΨQ排布的方法解決，但不管采用怎樣的方式，都無法從根本上消除位置誤差，因?yàn)榛魻栐臄?shù)量不能無限增多，這也就是霍爾傳感器的使用說明中通常會要求用戶在測量電流時(shí)，將被測電流排（電纜）盡量居中在穿孔部位的原因，有時(shí)為了杜絕位置誤差的影響，可以采用內(nèi)置電流排的方式。
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